0
0
Корзина
Ваша корзина пуста!
Это никогда не поздно исправить :)

Лучшие решения для увеличения оперативной памяти ноутбука

Сортировка:
New
Модуль памяти SoDIMM DDR3L 8GB 1866 MHz SK hynix (HMT41GS6BFR8A-RD)
Код: U0000400
В наличии
1450.00 грн.
Бренд: SK hynix
Артикул (Part Number): HMT41GS6BFR8A-RD
Тип памяти: DDR3L SoDIMM (Low Voltage)
Объем: 8 ГБ
Частота: 1866 МГц (PC3-14900)
Тайминги: CL13
Напряжение питания: 1.35V / 1.5V (Dual Voltage)
Ранг (Rank): 2Rx8 (Dual Rank)
Кол-во чипов: 16 чипов
Форм-фактор: 204-pin
New
Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1333MHz Kingston HyperX Fury Impact (ex.HyperX) (HX313S8IB/8)
Бренд: Kingston (серия HyperX Impact)
Артикул (Part Number): HX313S8IB/8
Тип памяти: DDR3 SoDIMM
Объем: 8 ГБ
Частота: 1333 МГц (PC3-10600)
Тайминги: CL9
Напряжение питания: 1.5V
Ранг (Rank): 2Rx8 (Dual Rank)
Кол-во чипов: 16 чипов
Форм-фактор: 204-pin
Hit
New
Модуль памяти SoDIMM DDR3L 8GB 1866 MHz Kingston HyperX Fury Impact (ex.HyperX) (HX318LS11IB/8)
Бренд: Kingston (серия HyperX Impact)
Артикул (Part Number): HX318LS11IB/8
Тип памяти: DDR3L SoDIMM (Low Voltage)
Объем: 8 ГБ
Частота: 1866 МГц (PC3-14900)
Тайминги: CL11
Напряжение питания: 1.35V / 1.5V (Dual Voltage)
Ранг (Rank): 2Rx8 (Dual Rank)
Кол-во чипов: 16 чипов
Форм-фактор: 204-pin
Hit
New
Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3 4GB 1066 MHz SK hynix (HMT351S6BFR8C-G7)
Код: U0000399
Нет в наличии
510.00 грн.
Бренд: SK hynix
Артикул (Part Number): HMT351S6BFR8C-G7
Тип памяти: DDR3
Объем: 4 ГБ
Частота: 1066 МГц (PC3-8500)
Тайминги: CL7
Напряжение питания: 1.5V
Ранг (Rank): 2Rx8 (Dual Rank)
Кол-во чипов: 16 чипов
Форм-фактор: 204-pin
Hit
New
Модуль памяти SoDIMM DDR3L 8GB 1600 MHz Samsung (M471B1G73QH0-YK0)
Код: U0000082
Нет в наличии
595.00 грн.
Бренд: Samsung
Артикул (Part Number): M471B1G73QH0-YK0
Тип памяти: DDR3L SoDIMM (Low Voltage)
Объем: 8 ГБ
Частота: 1600 МГц (PC3L-12800)
Тайминги: CL11
Напряжение питания: 1.35V / 1.5V (Dual Voltage)
Ранг (Rank): 2Rx8 (Dual Rank)
Кол-во чипов: 16 чипов
Форм-фактор: 204-pin
New
Модуль памяти SoDIMM DDR3L 8GB 1600 MHz SK hynix (HMT41GS6AFR8A-PB)
Код: U0000083
Нет в наличии
620.00 грн.
Бренд: SK hynix
Артикул (Part Number): HMT41GS6AFR8A-PB
Тип памяти: DDR3L SoDIMM (Low Voltage)
Объем: 8 ГБ
Частота: 1600 МГц (PC3L-12800)
Тайминги: CL11
Напряжение питания: 1.35V / 1.5V (Dual Voltage)
Ранг (Rank): 2Rx8 (Dual Rank)
Кол-во чипов: 16 чипов
Форм-фактор: 204-pin
New
Модуль памяти SoDIMM DDR3L 8GB 1600 MHz SK hynix (HMT41GS6BFR8A-PB)
Код: U0000094
Нет в наличии
620.00 грн.
Бренд: SK hynix
Артикул (Part Number): HMT41GS6BFR8A-PB
Тип памяти: DDR3L SoDIMM (Low Voltage)
Объем: 8 ГБ
Частота: 1600 МГц (PC3L-12800)
Тайминги: CL11
Напряжение питания: 1.35V / 1.5V (Dual Voltage)
Ранг (Rank): 2Rx8 (Dual Rank)
Кол-во чипов: 16 чипов
Форм-фактор: 204-pin
New
Модуль памяти SoDIMM DDR3L 8GB 1600 MHz SK hynix (HMT41GS6AFR8A-PB) (Black)
Код: U0000086
Нет в наличии
680.00 грн.
Бренд: SK hynix
Артикул (Part Number): HMT41GS6AFR8A-PB
Тип памяти: DDR3L SoDIMM (Low Voltage)
Объем: 8 ГБ
Частота: 1600 МГц (PC3L-12800)
Тайминги: CL11
Напряжение питания: 1.35V / 1.5V (Dual Voltage)
Ранг (Rank): 2Rx8 (Dual Rank)
Кол-во чипов: 16 чипов
Форм-фактор: 204-pin
New
Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1333 MHz Samsung (M471B1G73BH0-CH9)
Код: U0000402
Нет в наличии
695.00 грн.
Бренд: Samsung
Артикул (Part Number): M471B1G73BH0-CH9
Тип памяти: DDR3 SoDIMM
Объем: 8 ГБ
Частота: 1333 МГц (PC3-10600)
Тайминги: CL9
Напряжение питания: 1.5V
Ранг (Rank): 2Rx8 (Dual Rank)
Кол-во чипов: 16 чипов
Форм-фактор: 204-pin
New
Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1333 MHz SK hynix (HMT41GS6MFR8C-H9)
Код: U0000401
Нет в наличии
695.00 грн.
Бренд: SK hynix
Артикул (Part Number): HMT41GS6MFR8C-H9
Тип памяти: DDR3 SoDIMM
Объем: 8 ГБ
Частота: 1333 МГц (PC3-10600)
Тайминги: CL9
Напряжение питания: 1.5V
Ранг (Rank): 2Rx8 (Dual Rank)
Кол-во чипов: 16 чипов
Форм-фактор: 204-pin
New
Модуль памяти SoDIMM DDR4 8GB 2666 MHz SAMSUNG (M471A1K43CB1-CTD)
Код: U0000081
Нет в наличии
765.00 грн.
Бренд: SAMSUNG
Артикул (Part Number): M471A1K43CB1-CTD
Тип памяти: DDR4
Объем: 8 ГБ
Частота: 2666 МГц (PC4-21300)
Тайминги: CL19
Напряжение питания: 1.2 В
Ранг (Rank): 1Rx8 (Single Rank)
Кол-во чипов: 8 чипов (высокая плотность)
Форм-фактор: 260-pin
New
Модуль памяти SoDIMM DDR3L 8GB 1600 MHz Kingston HyperX Fury Impact (ex.HyperX) (HX316LS9IB/8)
Код: U0000084
Нет в наличии
790.00 грн.
Бренд: Kingston (серия HyperX Fury Impact)
Артикул (Part Number): HX316LS9IB/8
Тип памяти: DDR3L SoDIMM (Low Voltage)
Объем: 8 ГБ
Частота: 1600 МГц (PC3L-12800)
Тайминги: CL9
Напряжение питания: 1.35V / 1.5V (Dual Voltage)
Ранг (Rank): 2Rx8 (Dual Rank)
Кол-во чипов: 16 чипов
Форм-фактор: 204-pin
New
Модуль памяти SoDIMM DDR4 8GB 2666 MHz Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF426S15IB/8)
Код: U0000100
Нет в наличии
850.00 грн.
Бренд: Kingston FURY (серия Impact)
Артикул (Part Number): KF426S15IB/8
Тип памяти: DDR4
Объем: 8 ГБ
Частота: 2666 МГц (PC4-21300)
Тайминги: CL15
Напряжение питания: 1.2 В
Ранг (Rank): 1Rx8 (Single Rank)
Кол-во чипов: 8 чипов (высокая плотность)
Форм-фактор: 260-pin
New
Модуль памяти SoDIMM DDR4 8GB 3200MHz Fury Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF432S20IB/8)
Код: U0000099
Нет в наличии
850.00 грн.
Бренд: Kingston FURY (серия Impact)
Артикул (Part Number): KF432S20IB/8
Тип памяти: DDR4
Объем: 8 ГБ
Частота: 3200 МГц (PC4-25600)
Тайминги: CL20
Напряжение питания: 1.2 В
Ранг (Rank): 1Rx8 (Single Rank)
Кол-во чипов: 8 чипов (высокая плотность)
Форм-фактор: 260-pin

Технологические особенности подкатегории: Память для ноутбука

Современные ноутбуки используют оперативную память различных поколений, включая DDR3, DDR4 и DDR5. Каждый тип памяти имеет свои уникальные характеристики и архитектурные улучшения. DDR3, хотя и устаревшая, все еще используется в некоторых старых моделях ноутбуков. DDR4 предлагает повышенную скорость передачи данных и энергоэффективность. DDR5, последнее поколение, обеспечивает еще большую пропускную способность и снижение энергопотребления, что делает его идеальным для высокопроизводительных ноутбуков.

Разбор характеристик

Ключевые параметры оперативной памяти включают тактовую частоту, задержку и объем. Тактовая частота определяет скорость передачи данных. Задержка влияет на время отклика системы. Объем памяти напрямую воздействует на возможность выполнения многозадачности и работу с ресурсоемкими приложениями. Интерфейс подключения для ноутбуков обычно представлен в виде SO-DIMM модулей, которые отличаются компактностью и низким энергопотреблением.

Совместимость

Для выбора подходящей памяти важно учитывать тип разъема и поддерживаемую версию протокола. SO-DIMM модули DDR3, DDR4 и DDR5 не взаимозаменяемы из-за различий в количестве контактов и ключевых пазов. Перед покупкой необходимо проверить совместимость с материнской платой ноутбука. Также важно учитывать максимальный объем памяти, поддерживаемый системой.

Рекомендации по эксплуатации и охлаждению

Оперативная память ноутбука обычно не требует активного охлаждения, однако в условиях интенсивного использования и высокой производительности рекомендуется следить за температурой системы. Избегайте перегрева, обеспечивая достаточную вентиляцию и регулярную чистку от пыли.

Целевое назначение

Для офисных задач и повседневного использования достаточно памяти объемом 8 ГБ DDR4. Для игровых ноутбуков и работы с графикой рекомендуется использовать 16 ГБ или более с высокой тактовой частотой. Для серверных приложений и профессионального использования, таких как 3D-моделирование или видеомонтаж, оптимальным выбором будет DDR5 с объемом от 32 ГБ. Вы можете заказать 'Память для ноутбука' с доставкой по Украине, чтобы обеспечить надежную работу вашего устройства.

icon_email icon_teleg icon_viber icon_whatsapp icon_callback icon_email